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Philips Semiconductors
PCF85103C-2
256 × 8-bit CMOS EEPROM with I 2 C-bus interface
9. Limiting values
Table 6: Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
V DD
V i
I i
I o
T stg
T amb
Parameter
supply voltage
input voltage on any input pin
input current on any input pin
output current
storage temperature
operating ambient temperature
Conditions
| Z i | > 500 ?
Min
? 0.3
V SS ? 0.8
-
-
? 65
? 40
Max
+6.5
+6.5
1
10
+150
+85
Unit
V
V
mA
mA
° C
° C
10. Characteristics
Table 7: Characteristics
V DD = 2.5 to 6.0 V; V SS = 0 V; T amb = ? 40 to +85 ° C; unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Supplies
V DD
supply voltage
2.5
-
6.0
V
I DDR
supply current read
f SCL = 100 kHz
I DDW
supply current E/W
V DD = 2.5 V
V DD = 6.0 V
f SCL = 100 kHz
V DD = 2.5 V
V DD = 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
60
200
0.6
2.0
μ A
μ A
mA
mA
I DD(stb)
standby supply current
V DD = 2.5 V
V DD = 6.0 V
-
-
-
-
3.5
10
μ A
μ A
SCL input (pin 6)
V IL
V IH
LOW level input voltage
HIGH level input voltage
? 0.8
0.7V DD
-
-
0.3V DD
+6.5
V
V
I LI
f SCL
C i
input leakage current
clock input frequency
input capacitance
V I = V DD or V SS
V I = V SS
-
0
-
-
-
-
± 1
100
7
μ A
kHz
pF
SDA input/output (pin 5)
V IL
V IH
LOW level input voltage
HIGH level input voltage
? 0.8
0.7V DD
-
-
0.3V DD
+6.5
V
V
V OL
I LO
C i
LOW level output voltage
output leakage current
input capacitance
I OL = 3 mA; V DD(min)
V OH = V DD
V I = V SS
-
-
-
-
-
-
0.4
1
7
V
μ A
pF
Data retention time
t S
data retention time
T amb = 55 ° C
10
?
?
years
9397 750 14218
? Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data
Rev. 04 — 22 October 2004
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